6" 8" 12" Oxide wafer

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6" 8" 12" Oxide wafer

6" 8" 12" 氧化膜片 Oxide wafer

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6 “

8”

12”

Thickness

675 ± 25 um   

725 ± 25 um   

775 ± 25 um

Type

P

P

P

Orientation

<100>

<100>

<100>

Res.

1 ~ 100 ohm-cm

1 ~ 100 ohm-cm

1 ~ 100 ohm-cm

TTV

<50um

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WARP

<50um

<50um

<50um

Thermal Oxide Layer

1000~10000A± 10%

1000~10000A± 10%

1000~10000A± 10%

 

Thermal(爐管) Oxide(二氧化矽) wafer

熱氧化物或裸矽表面上形成二氧化矽層,在氧化劑的存在下在升高的溫度下,該過程稱為熱氧化。通常生長熱氧化層在水平管式爐中,在溫度範圍從900°C〜1200°C,使用“濕”或“幹”的生長方法。熱氧化物是一種“生長”的氧化物層,相對於CVD法沉積的氧化物層,它具有較高的均勻性和更高的介電強度,這是一個極好的作為絕緣體的介電層。大多數矽為基礎的設備,熱氧化層扮演著重要的角色,安撫矽表面,作為摻雜障礙和表面電介質。

 

產品應用:

1.     蝕刻率測試

2.     金屬打線測試

3.     金屬晶圓

4.     電性絕緣層

#Oxide#wafer#氧化膜片#晶圓片#電腦排線加工#水準泡#楊梅小蜘蛛吊車
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