與使用傳統 NAND 快閃記憶體裝置的快閃記憶體儲存系統相比，新一代快閃記憶體可提供卓越的可擴充性、效能和可靠性。
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HLNAND 基於獨特的菊花環架構構建，該架構超越了業界標準 NAND 快閃記憶體產品中使用的平行總線架構
- 為快閃記憶體實現的點對點環形拓撲
- 每個設備驅動單點負載
- 每個通道的設備數量幾乎不受限制
- 不需要 ODT
- 創新架構：超大規模記憶體架構
- 高速介面：533/667/800/1066/1333/1600 MT/s
- 低功耗：環形拓撲，無需片上端接和智慧型 IO 開關電源截斷
- 理想的訊號完整性：高速通道的點對點菊花鏈
- 與 NAND 無關：SLC、eMLC、MLC、TLC
- 高容量：1Tb 和 2Tb HLNAND、4Tb 3D HLNAND
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